爱游戏平台游戏:海珀电子请求高电子迁移率晶体管及其制作办法专利供给一种高迁移率晶体管及其制作办法

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  金融界2025年8月19日音讯，国家知识产权局信息数据显现，英属开曼群岛商海珀电子股份有限公司请求一项名为“高电子迁移率晶体管及其制作办法”的专利，公开号CN120512912A，请求日期为2024年02月。

  专利摘要显现，一种高电子迁移率晶体管及其制作办法，高电子迁移率晶体管包含磊晶层、源极、漏极、栅极结构及栅极金属。源极、栅极结构与漏极坐落磊晶层上，且栅极结构坐落源极与漏极之间。栅极结构包含榜首掺杂半导体层、电流按捺层与第二掺杂半导体层。榜首掺杂半导体层坐落磊晶层上，电流按捺层坐落榜首掺杂半导体层上，第二掺杂半导体层坐落电流按捺层上，栅极金属坐落第二掺杂半导体层上，其间榜首掺杂半导体层具有榜首宽度W1，第二掺杂半导体层具有第二宽度W2，电流按捺层具有第三宽度W3，其间W1＞W2，W3＝W2。

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