爱游戏平台游戏:英特尔称：晶体管设计革命重塑芯片格局中国刻蚀机能否弯道超车

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  你有没有想过，芯片制造的未来可能会因为刻蚀技术的崛起而彻底改变？在3nm节点的竞争中，光刻技术的局限性已经显露无遗，英特尔的高管透露，他们正在积极布局刻蚀技术，这可能会引发一场半导体产业的革命！想知道这背后有什么深意？继续往下看，带你了解这一切！

  随着芯片制程工艺的持续不断的发展，3nm以下的节点对于刻蚀工艺的依赖已经变得特别的重要。以往在制程工艺中，光刻技术负责将电路图案转移到硅片表面，而刻蚀工艺则用来去除多余的硅片，形成最终的三维结构。

  但在3nm以下的节点，光刻技术的极限已经显现出来，即便是ASML的极紫外光刻机（EUV）也很难满足芯片制造对工艺精度的要求。根据业内人士的透露，在3nm以下的节点，在大多数情况下要200次以上的刻蚀才能完成芯片的制作，而刻蚀的精度要求则要达到原子级，这几乎是现存技术无法实现的目标。

  虽然ASML在EUV光刻机上已经投入巨额资金，并且取得了一系列的技术突破，但它始终没有办法解决一个根本性的问题，那就是光刻技术在分辨率上的瓶颈。即便是High NA EUV，也很难将光源的波长缩短到足以满足3nm制程需求的程度。

  整个半导体行业都在关注刻蚀技术的发展，一旦该技术成熟，就可以大幅度降低对光刻技术的依赖，从而打破ASML在市场中的垄断地位。

  2023年6月21日，投资研究平台Tegus披露了一条关于英特尔高层的消息，一位匿名的英特尔总监表示，未来高端芯片的制造将减少对ASML极紫外光刻机的依赖，取而代之的是刻蚀技术，这项技术将成为半导体生产中的核心环节。

  这条消息一经公布，立刻引起了广泛的关注，很多人都认为这是芯片制造范式的一次革命，以往我们所认知的半导体产业链将会发生翻天覆地的变化。

  虽然这位总监并没有透露具体的时间表，但很多人都知道，英特尔早就慢慢的开始布局刻蚀技术了，其计划在2025年推出的Intel 18A制程中，将同时应用High NA EUV光刻与RibbonFET技术，从而在光刻与刻蚀之间寻找一个平衡点。

  可以预见的是，如果英特尔能够成功，那么整个半导体产业链将会迎来一次洗牌，那些依靠光刻技术吃饭的企业将会面临前所未有的压力，而以刻蚀技术为核心的企业将会迎来发展机遇。

  泛林集团推出的Akara等离子蚀刻设备在刻蚀技术上取得了重大突破，该设备不仅仅可以实现高精度刻蚀，还大幅度提升了生产效率。根据公开资料显示，Akara的产能已达到了每小时50片，而传统设备只有20片。

  此外，北方华创也推出了第三代等离子源，该等离子源在刻蚀深度和均匀性上都有了显著的提升，能够说是一次质的飞跃。

  有业内人士分析道，英特尔虽然现在还在苦苦寻找光刻与刻蚀之间的平衡，但很快可能就不需要这样做了，因为国产设备已经很成熟。根据调查研究机构的数据，我国自产的刻蚀设备在国内市场的占有率已经从20%飙升至70%，而全球市占率也突破了15%。

  这一数据表明，我国半导体产业正在快速崛起，而这一次崛起并非偶然，在国家政策和资金的全力支持下，我国半导体产业尤其是设备制造领域已经取得了一系列可喜的进展。

  随着GAAFET（全环绕栅极晶体管）和CFET（互补场效应晶体管）等三维结构晶体管技术逐渐成熟，晶体管的密度提升已不再单纯依赖光刻技术。

  但要想大规模量产这样的芯片，还要解决材料科学上的难题，因为量子效应会在纳米级别的材料中产生，这种效应会导致电流无法稳定通过，进而影响芯片的正常工作。

  我们看到，英特尔慢慢的开始着手解决这一个问题，其计划在2025年推出的Intel 18A制程中，将同时应用High NA EUV光刻与RibbonFET技术，这项技术虽然还是在GAAFET和CFET的基础上，但有很多新的尝试和突破，非常有可能会成为解决材料特性变化的一剂良药。

  但互连层使用铜作为导电材料已经是公认的次优解，因为铜在纳米级别时电阻率非常高，而导电性能好的材料一般来说都是容易氧化的，怎么样找到一种既能保证良好导电性能，又能抵抗氧化侵害的金属，是摆在英特尔面前的一道必答题。

  如果英特尔能够成功，那将会为整个行业带来非常大的冲击，此前我们从始至终在讨论芯片行业是否会出现马太效应，那些巨头凭借着先进的技术和设备牢牢把控着市场，而别的企业则难以翻身，逐渐被淘汰。

  但如果以刻蚀为核心的新模式能够成功，那些曾经垄断市场的大企业可能会面临被颠覆的危险，而新崛起的企业有可能迅速成长为行业巨头。

  刻蚀技术的崛起确实给整个半导体行业带来了新的机遇与挑战。如果英特尔能够成功转型，可能会彻底改变市场格局，让我们正真看到新的希望。但与此曾经的巨头也面临着被颠覆的风险。你怎么样看待这个局面？欢迎在评论区分享你的看法，别忘了点赞支持一下哦！

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