爱游戏平台游戏:氮化镓与硅“联婚”：新 3D 半导体工艺探究打破摩尔定律新途径

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  IT之家 6 月 20 日音讯，麻省理工学院（MIT）的研讨团队开宣布一种低本钱、可扩展的制造技能，可将高性能氮化镓（GaN）晶体管集成到规范硅芯片上，

  氮化镓是继硅之后全球第二大半导体资料，因其高频、高效特性，被大范围的使用在雷达、电源电子等范畴。但是，其昂扬本钱及与硅基芯片的兼容性难题，长时间约束了商业化使用。

  MIT 团队为此提出了新制造计划，在氮化镓晶圆外表密布制造微型晶体管，切割成仅 240×410 微米的独立单元（称“dielet”），再经过铜柱低温键合技能，精准嵌入硅互补金属氧化物半导体（CMOS）芯片。

  新技能的中心是“分而治之”战略。团队开发专用工具，使用真空吸附与纳米级定位，对齐 dielet 与硅基板的铜柱接口，400 摄氏度以下完结低温键合。

  比较传统金焊工艺，铜柱结合本钱更低、导电性更优，且兼容现有半导体产线。试验中，团队制造的功率放大器芯片（面积缺乏 0.5 平方毫米）在无线信号强度与能效上逾越硅基器材，可提高智能手机通话质量、带宽及续航，并下降体系发热。

  IT之家征引 MIT News 媒体观念，该技能为打破摩尔定律瓶颈供给了新途径，经过三维集成氮化镓与硅芯片，未来可整合射频前端、AI 加速器等模块，推进“天线至 AI”的一致渠道开展。

  论文一起作者 Pradyot Yadav 表明，这种“硅基数字芯片与氮化镓优势结合”的混合芯片，或许推翻通讯、数据中心及量子核算范畴。

  IBM 科学家 Atom Watanabe 点评，该效果“从头界说了异质集成的鸿沟，为下一代体系小型化与能效优化建立标杆”。