爱游戏平台游戏:睿思威半导体获得MIPI高速接口内高速比较用的扩大电路专利可以使MIPI接口在低电源电压下运用双极性晶体管

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睿思威半导体获得MIPI高速接口内高速比较用的扩大电路专利可以使MIPI高速接口在低电源电压下运用双极性晶体管

  国家知识产权局信息数据显现,睿思威半导体科技(姑苏)有限公司获得一项名为“一种MIPI高速接口内高速比较用的扩大电路”的专利,授权公告号CN223772022U,请求日期为2024年12月。

  专利摘要显现,本实用新型供给一种MIPI高速接口内高速比较用的扩大电路,包含榜首扩大模块,所述榜首扩大模块包含反相扩大电路,所述反相扩大电路包含MOS管M1和MOS管M3,所述MOS管M1的源极与榜首电流源I1衔接,所述MOS管M1的栅极接纳反相输入信号,所述MOS管M1的漏极与MOS管M3的漏极之间串接电阻R1,所述MOS管M3的基极接地,所述MOS管M1的源极输出榜首反相信号。本实用新型可以使MIPI高速接口在低电源电压下运用双极性晶体管。

  天眼查资料显现,睿思威半导体科技(姑苏)有限公司,成立于2022年,坐落姑苏市,是一家以从事科技推广和使用服务业为主的企业。企业注册资本100万人民币。经过天眼查大数据分析,睿思威半导体科技(姑苏)有限公司专利信息4条,此外企业还具有行政许可6个。

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