爱游戏平台游戏:力晶积成请求高电子移动率晶体管及其制造的进程专利构成栅极图画

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  国家知识产权局信息数据显现，力晶积成电子制造股份有限公司请求一项名为“高电子移动率晶体管及其制造的进程”的专利，揭露号CN121218630A，请求日期为2024年7月。

  专利摘要显现，本发明揭露一种高电子移动率晶体管及其制造的进程，其间高电子移动率晶体管包含一氮化铝镓层坐落一氮化镓基底上、一氧化硅层坐落该氮化铝镓层上，其间具有一开口显露该氮化铝镓层、一氟掺杂区构成在该开口正下方的该氮化铝镓层以及该氮化镓基底中、一氮化铟镓层坐落该氧化硅层上填满该开口并直接与该氟掺杂区触摸、一绝缘层坐落该氮化铟镓层的顶面上、一金属层坐落该绝缘层的顶面上，其间该金属层、该绝缘层以及该氮化铟镓层构成一栅极图画、一栅极坐落该金属层上、以及一源极与一漏极别离坐落该栅极两边的该氮化镓基底上。

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