爱游戏平台游戏:强一半导体申请电子元器件及其制作的过程专利具有绝缘层均匀性高、稳定性高、耐高温、耐腐蚀的优点

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  国家知识产权局信息数据显示，强一半导体（苏州）股份有限公司申请一项名为“一种电子元器件及其制作的过程”的专利，公开号CN121311071A，申请日期为2025年10月。

  专利摘要显示，本发明公开一种电子元器件及其制作的过程，包括器件基板以及覆在所述的器件基板表面的绝缘层，所述的绝缘层包括生长在所述的器件基板的表层的氧化硅层以及在所述的氧化硅层表明产生的富氮的氧氮化硅层。该电子元器件的制作的过程，包括绝缘层生成步骤：在器件基板表面先生长一层氧化硅，然后在高温下通入含氮气体进行退火处理，使氮原子掺入氧化硅层，形成表面富氮的氧氮化硅层。本申请可以使氧氮化硅和氧化硅充分的发挥各自优势，具有绝缘层均匀性高、稳定性高、耐高温、耐腐蚀，产品使用的过程中稳定性高的优点。

  天眼查资料显示，强一半导体（苏州）股份有限公司，成立于2015年，位于苏州市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本9716.9418万人民币。通过天眼查大数据分析，强一半导体（苏州）股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目54次，财产线条，此外企业还拥有行政许可20个。

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