
来源:爱游戏平台游戏 发布时间:2026-01-06 22:59:42
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国家知识产权局信息数据显现,德州仪器公司请求一项名为“包括闪存存储器和CMOS逻辑电路系统的集成电路”的专利,揭露号CN121286112A,请求日期为2023年12月。
专利摘要显现,本请求揭露一种包括闪存存储器和CMOS逻辑电路系统的集成电路(IC)(400)及其制作办法。所述IC(400)包括:衬底(402),其包括榜首区(403A)的洼陷区域(407);闪存存储器单元栅极堆叠(485‑1),其构成于所述洼陷区域(407)中;字线(WL)晶体管,其构成于所述洼陷区域(407)中且与所述闪存存储器单元栅极堆叠(485‑1)耦合,所述WL晶体管包括构成于不包括氮化的榜首栅极氧化物层(437)上方的WL栅极(444‑1);以及晶体管(471A/B),其构成于所述衬底(402)的与所述洼陷区域(407)别离的第二区域(403B)中,所述晶体管(471A/B)构成所述IC(400)的逻辑电路系统的至少一部分且包括具有氮化的第二栅极氧化物层(450)。
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