爱游戏平台游戏:原集微科技请求二维半导体顶栅场效应晶体管及其制备办法专利具有低的栅极走漏电流和小回滞等杰出的电学功能

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  国家知识产权局信息数据显现，原集微科技（上海）有限公司请求一项名为“一种二维半导体顶栅场效应晶体管及其制备办法”的专利，公开号CN122028453A，请求日期为2026年1月。

  专利摘要显现，本发明公开了一种二维半导体顶栅场效应晶体管及其制备办法，其间制备办法有在二维半导体资料外表制备源极和漏极，再界说二维半导体沟道区域，再对二维半导体沟道区域的露出区域进行等离子体处理，构成氧化层，再制备栅介质层，以及在栅介质层外表制备栅极。本发明中，籽晶层是经过直接对二维半导体进行等离子体处理得到，利用了二维资料的层间耦合及杰出的层间界面，有实际效果的减少了籽晶层与二维半导体沟道之间的缺点，且运用籽晶层辅佐栅介质层成长，得到高质量的栅介质层，终究所制备的顶栅场效应晶体管，具有低的栅极走漏电流和小回滞等杰出的电学功能，降低了功耗并可适配先进工艺，在大规模集成电路的制作中有宽广的使用远景。

  天眼查资料显现，原集微科技（上海）有限公司，成立于2025年，坐落上海市，是一家以从事科技推广和使用服务业为主的企业。企业注册资本353.976万人民币。经过天眼查大数据分析，原集微科技（上海）有限公司共对外出资了2家企业，参加招投标项目1次，产业线条。

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